1

反应腔体结构

1）标准PE反应腔室，样品温度最高可达400℃，控制精度±1℃；

2）样品台：最大可放置直径4寸样品，兼容小尺寸样品；

1套

2

前驱体源系统

3路前驱体源系统，包含：

1）2路标准加热液态前驱体源，配置swagelok高温快速ALD

阀（响应时间＜10ms）、手动阀、50ml不锈钢源瓶，源瓶及管路加热温度RT-200℃，控制精度±1℃；

2）1路常温源，配置swagelok快速ALD阀（响应时间

＜10ms）、手动阀、100ml水源瓶；

3）含两路载气系统，原装进口流量计控制，所有前驱体源管路采用swagelok管路+VCR密封，并具有在线清洗功能；

1套

3

真空系统

高性能真空系统，整机极限真空＜5×10^-3Torr，真空漏率＜5×10^-7Pa·L/S包含：

1）国产油泵，额定抽速＞60m³/h；；

2）真空泵前级配置热阱，加热温度最高500℃，控制精度±1℃，用于吸附、分解未反应的前驱体源；

3）进口压力传感器（真空计），测量范围5×10^-5Torr-大气压，精度满量程的±1%；

4）真空计前设有保护真空计的高效过滤网以及气动隔膜阀；

1套

4

等离子体发生器系统

远程ICP感应耦合等离子体系统，系统包含：

1）采用KM-QT设计，等离子体发生腔室独立于反应腔室，配有独立的辐射加热源加热等离子体发生腔室，最高加热温度150℃，温度控制精度±1℃。

2）2路标准等离子体气源，高精度质量流量计控制，控制精度±1%，可接氩气、氧气；

3）射频电源频率13.56MH，功率0-300W可调，功率不稳定度≤2W，自动匹配调节；

4）创新前驱体输运设计，液态和固态前驱体源不经过等离子体发生腔，减少发生腔室污染；

1套

5

控制系统

1）高精度PLC+工控机沉积自动控制系统，满足高精度ALD沉积需求

2）图像化的操作界面，实时显示系统各部分运行状态，可方便的调节温度、流量、脉冲时间等参数；

3）多用户权限分配，软硬件互锁，异常报警、紧急停机等功能确保安全性；

4）沉积模式：连续模式、停流模式；

5）人机界面：外挂式触摸屏，可自由选择悬停位置；

1套

6

工艺指标

1）标准氧化铝工艺：在4英寸晶圆上沉积1000循环氧化铝，以晶圆上至少5个均匀分散点（上、下、左、右、中心5点，每两点间距不小于15毫米）进行膜厚测试，膜厚标准偏差≤±1%为合格